Name: IMW65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R048M1HXKSA1-ND
Price: 12.5751 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW65R048M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMW65R048M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW65R048M1HXKSA1
Kuvaus	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 39A (Tc) 125W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-41
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMW65R048M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,7V @ 6mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 33 nC @ 18 V
Sarja CoolSIC™ M1	Vgs (maks.) +23V, -5V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1118 pF @ 400 V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tehohäviö (maks.) 125W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3-41
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 39A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Päätuotenumero IMW65R048
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 64mOhm @ 20,1A, 18V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (1)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
MSC035SMA070B	Microchip Technology	235	MSC035SMA070B-ND	9,03000 €	Samankaltainen

Varastossa: 250

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Ei suositella uusiin projekteihin, vähimmäismäärät saattavat soveltua. Näytä Korvaavat osat.

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki