Name: IPW60R099P6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R099P6XKSA1-ND
Price: 6.23735 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPW60R099P6XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPW60R099P6XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPW60R099P6XKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 37,9A (Tc) 278W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPW60R099P6XKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 1,21mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ P6	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3330 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 278W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 37,9A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPW60R099
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 99mOhm @ 14,5A, 10V