Name: IMTA65R050M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R050M2HXTMA1TR-ND
Price: 7.14095 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMTA65R050M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMTA65R050M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMTA65R050M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMTA65R050M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMTA65R050M2HXTMA1
Kuvaus	SILICON CARBIDE MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 43A (Tc) 197W (Tc)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMTA65R050M2HXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	43A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	46mOhm @ 18,2A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 3,7mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	790 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	197W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	-
Valmistajan laitepakkaus	-
Pakkaus / kotelo	-