Name: IMT44R025M2HXTMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT44R025M2HXTMA2TR-ND
Price: 10.37885 EUR
Availability: OutOfStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMT44R025M2HXTMA2
DigiKeyn tuotenumero	448-IMT44R025M2HXTMA2TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMT44R025M2HXTMA2CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMT44R025M2HXTMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMT44R025M2HXTMA2
Kuvaus	SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 440 V 9A (Ta), 68A (Tc) 3,8W (Ta), 214W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™ G2
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	440 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	9A (Ta), 68A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	32,1mOhm @ 15,7A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 5,6mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	36 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1690 pF @ 200 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,8W (Ta), 214W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-HSOF-8
Pakkaus / kotelo	8-PowerSFN