Name: IMBG65R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R060M2HXTMA1TR-ND
Price: 7.36685 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMBG65R060M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMBG65R060M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMBG65R060M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG65R060M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMBG65R060M2HXTMA1
Kuvaus	SILICON CARBIDE MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 34,9A (Tc) 148W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7-12
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMBG65R060M2HXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	34,9A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	55mOhm @ 15,4A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 3,1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	18 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	669 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	148W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO263-7-12
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA