Name: IMBG120R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R040M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.61675 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 1200 V 52A (Tc) 250W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7-12

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMBG120R040M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMBG120R040M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMBG120R040M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG120R040M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMBG120R040M2HXTMA1
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Valmistajan vakio toimitusaika	54 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 52A (Tc) 250W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7-12
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,1V @ 5,5mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 39 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™ G2	Vgs (maks.) +23V, -10V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1310 pF @ 800 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 250W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-7-12
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 52A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Päätuotenumero IMBG120R040
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 39,6mOhm @ 17,5A, 18V