Name: IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND
Price: 4.6435 EUR
Availability: InStock

IGC025S08S1XTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IGC025S08S1XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGC025S08S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IGC025S08S1XTMA1
Kuvaus	GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Valmistajan vakio toimitusaika	29 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSON-6-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IGC025S08S1XTMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolGaN™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	GaNFET (galliumnitridi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	23A (Ta), 86A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,5mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2.9V @ 10mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	16 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±6,5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1400 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TSON-6-2
Pakkaus / kotelo	6-PowerTDFN

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	3,70000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	4,64350 €

IGC025S08S1XTMA1