Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 3.02455 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IGB110S10S1XTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IGB110S10S1XTMA1
Kuvaus	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Valmistajan vakio toimitusaika	25 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSON-4-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IGB110S10S1XTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 5V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,9V @ 3mA
Sarja CoolGaN™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 3.4 nC @ 5 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±6,5V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 340 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Teknologia GaNFET (galliumnitridi)	Toimintalämpötila -40°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 9A (Ta), 23A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TSON-4-2
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 5V	Pakkaus / kotelo 4-PowerTDFN