Name: IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND
Price: 3.4136 EUR
Availability: InStock

IGB070S10S1XTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IGB070S10S1XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGB070S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IGB070S10S1XTMA1
Kuvaus	GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 13A (Ta), 38A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSON-4-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IGB070S10S1XTMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolGaN™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	GaNFET (galliumnitridi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	13A (Ta), 38A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	7mOhm @ 13A, 5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,9V @ 4,5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	7.9 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±6,5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	740 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TSON-4-2
Pakkaus / kotelo	4-PowerTDFN

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,72000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,41360 €

IGB070S10S1XTMA1