Name: IAUCN08S7N024TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N024TATMA1TR-ND
Price: 3.90305 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUCN08S7N024TATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IAUCN08S7N024TATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IAUCN08S7N024TATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IAUCN08S7N024TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUCN08S7N024TATMA1
Kuvaus	MOSFET_(75V 120V(
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 165A (Tj) 157W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-LHDSO-10-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 7
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	165A (Tj)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,44mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,2V @ 74,7µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4849 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	157W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-LHDSO-10-1
Pakkaus / kotelo	10-LSOP (0,216", 5,48mm leveys) avoin juotoskohta