Name: IAUC26N10S5L245ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC26N10S5L245ATMA1TR-ND
Price: 1.506 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUC26N10S5L245ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IAUC26N10S5L245ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IAUC26N10S5L245ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IAUC26N10S5L245ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUC26N10S5L245ATMA1
Kuvaus	MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 26A (Tj) 40W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-33
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IAUC26N10S5L245ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	26A (Tj)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	24,5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 13µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	762 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	40W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-33
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN