Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 0.99145 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSZ180P03NS3EGATMA1
DigiKeyn tuotenumero	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSZ180P03NS3EGATMA1
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Valmistajan vakio toimitusaika	52 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 9A (Ta), 39,5A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSDSON-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSZ180P03NS3EGATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	9A (Ta), 39,5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,1V @ 48µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2220 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,1W (Ta), 40W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TSDSON-8
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	BSZ180