Name: BSO613SPVGXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSO613SPVGXUMA1TR-ND
Price: 1.69425 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSO613SPVGXUMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-BSO613SPVGXUMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-BSO613SPVGXUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-BSO613SPVGXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSO613SPVGXUMA1
Kuvaus	MOSFET P-CH 8-SOIC
Valmistajan vakio toimitusaika	10 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 3,44A (Ta) 2,5W (Ta) Kiinnitys pintaan PG-DSO-8-6
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSO613SPVGXUMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	SIPMOS®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	3,44A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	130mOhm @ 3,44A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	875 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-DSO-8-6
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Päätuotenumero	BSO613