Name: BSC077N12NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC077N12NS3GATMA1TR-ND
Price: 4.02855 EUR
Availability: InStock

BSC077N12NS3GATMA1
DigiKeyn tuotenumero	BSC077N12NS3GATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSC077N12NS3GATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSC077N12NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSC077N12NS3GATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 13,4A (Ta), 98A (Tc) 139W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSC077N12NS3GATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	120 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	13,4A (Ta), 98A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	7,7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 110µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5700 pF @ 60 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	139W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-1
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	BSC077

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	3,21000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	4,02855 €

BSC077N12NS3GATMA1