Name: BSC050N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC050N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 3.012 EUR
Availability: InStock

BSC050N10NS5ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-BSC050N10NS5ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-BSC050N10NS5ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-BSC050N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSC050N10NS5ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 16A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSC050N10NS5ATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	16A (Ta), 100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,8V @ 72µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4300 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 136W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-7
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	BSC050

Määrä	Yksikköhinta	Yhteensä
5 000	0,66944 €	3 347,20 €
10 000	0,65251 €	6 525,10 €

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,40000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,01200 €

BSC050N10NS5ATMA1