BSC046N02KSGAUMA1 Infineon Technologies | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSC046N02KSGAUMA1
DigiKeyn tuotenumero	BSC046N02KSGAUMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSC046N02KSGAUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSC046N02KSGAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSC046N02KSGAUMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 19A (Ta), 80A (Tc) 2,8W (Ta), 48W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSC046N02KSGAUMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,2V @ 110µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 27.6 nC @ 4.5 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±12V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4100 pF @ 10 V
Osan tila Vanhentunut	Tehohäviö (maks.) 2,8W (Ta), 48W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TDSON-8-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 19A (Ta), 80A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 2,5V, 4,5V	Päätuotenumero BSC046
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,6mOhm @ 50A, 4,5V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
BSC026NE2LS5ATMA1	Infineon Technologies	16 375	BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND	1,45000 €	MFR Recommended
CSD16340Q3	Texas Instruments	4 235	296-25646-1-ND	1,52000 €	Samankaltainen