Name: BSC010NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010NE2LSIATMA1TR-ND
Price: 2.9869 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSC010NE2LSIATMA1
DigiKeyn tuotenumero	BSC010NE2LSIATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSC010NE2LSIATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSC010NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSC010NE2LSIATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSC010NE2LSIATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,05mOhm @ 30A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 250µA
Sarja OptiMOS™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4200 pF @ 12 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 96W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 25 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TDSON-8-7
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 38A (Ta), 100A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero BSC010

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
CSD16401Q5	Texas Instruments	1 499	296-24525-1-ND	3,07000 €	Samankaltainen
PJQ5424_R2_00001	Panjit International Inc.	2 165	3757-PJQ5424_R2_00001CT-ND	0,99000 €	Samankaltainen