Name: GT800N10D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-GT800N10D3TR-ND
Price: 0.08672 EUR
Availability: InStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GT800N10D3
DigiKeyn tuotenumero	4822-GT800N10D3TR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Goford Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	GT800N10D3
Kuvaus	MOSFET,N-CH,100V,7.5A,19W,DFN3*3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 7,5A (Tc) 19W Kiinnitys pintaan 8-DFN (3x3)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Goford Semiconductor
Sarja	SGT
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7,5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	80mOhm @ 3A, 10V
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2150 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	19W
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-DFN (3x3)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN