Name: G30N02T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G30N02T-ND
Price: 1.09185 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G30N02T
DigiKeyn tuotenumero	3141-G30N02T-ND
Valmistaja	Goford Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	G30N02T
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 30A (Tc) 40W (Tc) Läpivientiaukko TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Goford Semiconductor
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	13mOhm @ 20A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	900 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	40W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220
Pakkaus / kotelo	TO-220-3

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 100

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki