Name: G3R160MT12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R160MT12J-TR-ND
Price: 7.81865 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G3R160MT12J-TR
DigiKeyn tuotenumero	1242-G3R160MT12J-TR-ND - Rullattu teippi (TR) 1242-G3R160MT12J-TRCT-ND - Cut Tape (CT) 1242-G3R160MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	GeneSiC Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	G3R160MT12J-TR
Kuvaus	1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 19A (Tc) 110W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	GeneSiC Semiconductor
Sarja	G3R™, LoRing™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,7V @ 5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	23 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	724 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	110W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263-7
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA