Name: G3F65MT12K
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3F65MT12K-ND
Price: 10.4667 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G3F65MT12K
DigiKeyn tuotenumero	1242-G3F65MT12K-ND
Valmistaja	GeneSiC Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	G3F65MT12K
Kuvaus	1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 35A (Tc) 153W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-4
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	GeneSiC Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiC (piikarbidiliitostransistori)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	86mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,3V @ 10mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	55 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1298 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	153W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-4
Pakkaus / kotelo	TO-247-4