Name: G2R1000MT17J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G2R1000MT17J-TR-ND
Price: 6.9276 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G2R1000MT17J-TR
DigiKeyn tuotenumero	1242-G2R1000MT17J-TR-ND - Rullattu teippi (TR) 1242-G2R1000MT17J-TRCT-ND - Cut Tape (CT) 1242-G2R1000MT17J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	GeneSiC Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	G2R1000MT17J-TR
Kuvaus	1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1700 V 5A (Tc) 44W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	GeneSiC Semiconductor
Sarja	G2R™, LoRing™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1700 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,2Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 2mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	11 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	139 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	44W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263-7
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA