Name: FQD1N60CTM
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FQD1N60CTM-ND
Price: 0.79129 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FQD1N60CTM
DigiKeyn tuotenumero	2156-FQD1N60CTM-ND
Valmistaja	Fairchild Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	FQD1N60CTM
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 1A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252 (DPak)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Fairchild Semiconductor
Sarja	QFET®
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11,5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	6.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	170 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252 (DPak)
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63