Name: FDMS4435BZ
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDMS4435BZ-ND
Price: 0.48778 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FDMS4435BZ
DigiKeyn tuotenumero	2156-FDMS4435BZ-ND
Valmistaja	Fairchild Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	FDMS4435BZ
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2,5W (Ta), 39W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-PQFN (5x6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Fairchild Semiconductor
Sarja	PowerTrench®
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	9A (Ta), 18A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2050 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 39W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-PQFN (5x6)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN