Name: DMTH8028LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8028LPSWQ-13TR-ND
Price: 1.1295 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMTH8028LPSWQ-13
DigiKeyn tuotenumero	31-DMTH8028LPSWQ-13TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMTH8028LPSWQ-13CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMTH8028LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMTH8028LPSWQ-13
Kuvaus	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 41,7A (Tc) 3,9W (Ta), 65W (Tc) Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna PowerDI5060-8 (tyyppi UX)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	41,7A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	25mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	10.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	641 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,9W (Ta), 65W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna
Valmistajan laitepakkaus	PowerDI5060-8 (tyyppi UX)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN