Name: DMN10H220LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H220LE-13DITR-ND
Price: 0.66515 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN10H220LE-13
DigiKeyn tuotenumero	DMN10H220LE-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN10H220LE-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMN10H220LE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN10H220LE-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 2,3A (Ta) 1,8W (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-223-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMN10H220LE-13 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2,3A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	220mOhm @ 1,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	401 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,8W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SOT-223-3
Pakkaus / kotelo	TO-261-4, TO-261AA
Päätuotenumero	DMN10