Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetään

/ 14

Valm. osa #	Saatavana oleva määrä	Hinta	Sarja	Pakkaus	Tuotteen status	FET-tyyppi	Teknologia	Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) @ Id	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	Vgs (maks.)	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	FET-ominaisuus	Tehohäviö (maks.)	Toimintalämpötila	Luokka	Hyväksyntä	Asennustyyppi	Valmistajan laitepakkaus	Pakkaus / kotelo
LSIC1MO170E0750 SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3 Littelfuse Inc.	391 Varastossa	1 : 7,12000 € Putki	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1700 V	6,2A (Tc)	20V	1Ohm @ 2A, 20V	4V @ 1mA	13 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	60W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0080 SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 Littelfuse Inc.	369 Varastossa	1 : 15,57000 € Putki	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	39A (Tc)	20V	100mOhm @ 20A, 20V	4V @ 10mA	95 nC @ 20 V	+22V, -6V	1825 pF @ 800 V	-	179W (Tc)	-55°C – 150°C	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0160 SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 Littelfuse Inc.	2 227 Varastossa 1 350 Tehdas	1 : 10,71000 € Putki	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	22A (Tc)	20V	200mOhm @ 10A, 20V	4V @ 5mA	57 nC @ 20 V	+22V, -6V	870 pF @ 800 V	-	125W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO170T0750 SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L Littelfuse Inc.	873 Varastossa	1 : 8,39000 € Putki	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1700 V	6,4A (Tc)	20V	1Ohm @ 2A, 20V	4V @ 1mA	11 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	65W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	TO-263-7L	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
LSIC1MO120G0040 MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 Varastossa Tarkista toimitusaika	1 : 24,04000 € Putki	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	70A (Tc)	20V	50mOhm @ 40A, 20V	4V @ 20mA	175 nC @ 20 V	+22V, -6V	317 pF @ 800 V	-	357W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO170E1000 SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L Littelfuse Inc.	0 Varastossa	450 : 3,04304 € Putki	-	Putki	Vanhentunut	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1700 V	5A (Tc)	15V, 20V	1Ohm @ 2A, 20V	4V @ 1mA	15 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	54W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0120 SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 Littelfuse Inc.	0 Varastossa	Aktiivinen	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	27A (Tc)	20V	150mOhm @ 14A, 20V	4V @ 7mA	80 nC @ 20 V	+22V, -6V	1125 pF @ 800 V	-	139W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120G0120 MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 Varastossa	Aktiivinen	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	27A (Tc)	20V	150mOhm @ 14A, 20V	4V @ 7mA	63 nC @ 20 V	+22V, -6V	1130 pF @ 800 V	-	156W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0025 MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 Varastossa	Aktiivinen	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	100A (Tc)	20V	32mOhm @ 50A, 20V	4V @ 30mA	265 nC @ 20 V	+22V, -6V	495 pF @ 800 V	-	500W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0080 MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 Varastossa	Aktiivinen	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	39A (Tc)	20V	100mOhm @ 20A, 20V	4V @ 10mA	92 nC @ 20 V	+22V, -6V	170 pF @ 800 V	-	214W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0160 MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 Varastossa	Aktiivinen	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	22A (Tc)	20V	200mOhm @ 10A, 20V	4V @ 5mA	50 nC @ 20 V	+22V, -6V	890 pF @ 800 V	-	125W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120T0120-TU 1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS	0 Varastossa	Aktiivinen	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	27A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Kiinnitys pintaan	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
LSIC1MO120T0160-TU 1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS	0 Varastossa	Aktiivinen	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	22A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Kiinnitys pintaan	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
LSIC1MO120T0080-TU 1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7 IXYS	0 Varastossa	Aktiivinen	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	39A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Kiinnitys pintaan	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA

Näytetään

/ 14

Yksittäiset FET- ja MOSFET-transistorit

Yksittäiset FET-kanavatransistorit (Field Effect Transistor) ja MOSFET-metallioksidi-puolijohdekanavatransistorit (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ovat transistoreja , joita käytetään elektronisten signaalien vahvistamiseen ja kytkemiseen.

Yksittäinen FET toimii ohjaamalla sähkövirran kulkua lähteen ja nielun välillä hilaan syötetyn jännitteen synnyttämän sähkökentän avulla. FET-transistorien tärkein etu on niiden korkea tuloimpedanssi, mikä tekee niistä ihanteellisia käytettäväksi signaalinvahvistuksessa ja analogisissa piireissä. Niitä käytetään paljon sellaisissa sovelluksissa kuten vahvistimet, oskillaattorit ja puskuriasteet elektronisissa piireissä.

MOSFET-transistorit ovat FET-transistorien alatyyppi ja niiden hila on eristetty kanavasta ohuella oksidikerroksella, mikä parantaa niiden suorituskykyä ja tekee niistä erittäin tehokkaita. MOSFET-transistorit voidaan luokitella edelleen kahteen tyyppiin:

N-kanavatyypin MOSFET: näissä elektronit ovat ensisijaisia varauksenkuljettajia.
P-kanavatyypin MOSFET: näissä aukot ovat ensisijaisia varauksenkuljettajia.

MOSFET-transistoreita suositaan monissa sovelluksissa niiden alhaisen virrankulutuksen, korkean kytkentänopeuden sekä korkean virta- ja jänniteluokituksen vuoksi. Niillä on tärkeä rooli digitaalisissa ja analogisissa piireissä, mukaan lukien virtalähteet, moottorinohjaimet sekä radiotaajuussovellukset.

MOSFET-transistorien toiminta voidaan jakaa kahteen tyyppiin:

Avaustyyppi: Tämän tyyppinen MOSFET ei normaalisti johda, kun hilajännite on nolla. Laiteen siirtyminen johtavaan tilaan vaatii positiivisen hila-lähde-jännitteen (n-kanavatyyppi) tai negatiivisen hila-lähde-jännitteen (p-kanavatyyppi).
Tyhjennystyyppi: Tämän tyyppinen MOSFET normaalisti johtaa, kun hilajännite on nolla. Kun hilalle syötetään polariteetiltaan vastakkainen jännite, se ei enää johda virtaa.

MOSFET-transistoreilla on useita etuja, kuten:

Korkea hyötysuhde: Niiden virrankulutus on hyvin matala ja voivat vaihtaa tilaa nopeasti, mikä tekee niistä erittäin tehokkaita virranhallintasovelluksissa.
Alhainen johtamisresistanssi: Niiden resistanssi on alhainen niiden johtaessa, mikä minimoi tehohäviön ja lämmöntuotannon.
Korkea tuloimpedanssi: Erotettu hilarakenne johtaa erittäin korkeaan tuloimpedanssiin, mikä tekee niistä ihanteellisia impedanssiltaan korkean signaalin vahvistamiseen.

Yhteenvetona voidaan todeta, että yksittäiset FET-transistorit ja erityisesti MOSFET-transistorit ovat modernin elektroniikan peruskomponentteja, jotka tunnetaan tehokkuudesta, nopeudesta ja monipuolisuudesta mitä erilaisimmissa sovelluksissa pienitehoisesta signaalinvahvistuksesta korkeatehoiseen kytkentään ja ohjaukseen.

Yksittäiset FET- ja MOSFET-transistorit

TIETOJA

OPASTUS

OTA YHTEYTTÄ

SEURAA MEITÄ