Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Tulokset : 2

Suodattimet

Pinottu

Vieritys

Hakukenttä

Näytetään

/ 2

	Valm. osa #	Saatavana oleva määrä	Hinta	Sarja	Pakkaus	Tuotteen status	FET-tyyppi	Teknologia	Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) @ Id	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	Vgs (maks.)	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	FET-ominaisuus	Tehohäviö (maks.)	Toimintalämpötila	Luokka	Hyväksyntä	Asennustyyppi	Valmistajan laitepakkaus	Pakkaus / kotelo
	IPB048N15N5ATMA1 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 Infineon Technologies	2 503 Varastossa	1 : 4,67000 € Cut Tape (CT) 1 000 : 1,75612 € Rullattu teippi (TR)	OptiMOS™	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	150 V	120A (Tc)	8V, 10V	4,8mOhm @ 60A, 10V	4,6V @ 264µA	100 nC @ 10 V	±20V	7800 pF @ 75 V	-	300W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
	IPB048N15N5LFATMA1 MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Infineon Technologies	755 Varastossa	1 : 5,97000 € Cut Tape (CT) 1 000 : 2,43726 € Rullattu teippi (TR)	OptiMOS™ 5	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	150 V	120A (Tc)	10V	4,8mOhm @ 100A, 10V	4,9V @ 255µA	84 nC @ 10 V	±20V	380 pF @ 75 V	-	313W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB

Näytetään

/ 2

Yksittäiset FET- ja MOSFET-transistorit

Yksittäiset FET-kanavatransistorit (Field Effect Transistor) ja MOSFET-metallioksidi-puolijohdekanavatransistorit (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ovat transistoreja , joita käytetään elektronisten signaalien vahvistamiseen ja kytkemiseen.

Yksittäinen FET toimii ohjaamalla sähkövirran kulkua lähteen ja nielun välillä hilaan syötetyn jännitteen synnyttämän sähkökentän avulla. FET-transistorien tärkein etu on niiden korkea tuloimpedanssi, mikä tekee niistä ihanteellisia käytettäväksi signaalinvahvistuksessa ja analogisissa piireissä. Niitä käytetään paljon sellaisissa sovelluksissa kuten vahvistimet, oskillaattorit ja puskuriasteet elektronisissa piireissä.

MOSFET-transistorit ovat FET-transistorien alatyyppi ja niiden hila on eristetty kanavasta ohuella oksidikerroksella, mikä parantaa niiden suorituskykyä ja tekee niistä erittäin tehokkaita. MOSFET-transistorit voidaan luokitella edelleen kahteen tyyppiin:

N-kanavatyypin MOSFET: näissä elektronit ovat ensisijaisia varauksenkuljettajia.
P-kanavatyypin MOSFET: näissä aukot ovat ensisijaisia varauksenkuljettajia.

MOSFET-transistoreita suositaan monissa sovelluksissa niiden alhaisen virrankulutuksen, korkean kytkentänopeuden sekä korkean virta- ja jänniteluokituksen vuoksi. Niillä on tärkeä rooli digitaalisissa ja analogisissa piireissä, mukaan lukien virtalähteet, moottorinohjaimet sekä radiotaajuussovellukset.

MOSFET-transistorien toiminta voidaan jakaa kahteen tyyppiin:

Avaustyyppi: Tämän tyyppinen MOSFET ei normaalisti johda, kun hilajännite on nolla. Laiteen siirtyminen johtavaan tilaan vaatii positiivisen hila-lähde-jännitteen (n-kanavatyyppi) tai negatiivisen hila-lähde-jännitteen (p-kanavatyyppi).
Tyhjennystyyppi: Tämän tyyppinen MOSFET normaalisti johtaa, kun hilajännite on nolla. Kun hilalle syötetään polariteetiltaan vastakkainen jännite, se ei enää johda virtaa.

MOSFET-transistoreilla on useita etuja, kuten:

Korkea hyötysuhde: Niiden virrankulutus on hyvin matala ja voivat vaihtaa tilaa nopeasti, mikä tekee niistä erittäin tehokkaita virranhallintasovelluksissa.
Alhainen johtamisresistanssi: Niiden resistanssi on alhainen niiden johtaessa, mikä minimoi tehohäviön ja lämmöntuotannon.
Korkea tuloimpedanssi: Erotettu hilarakenne johtaa erittäin korkeaan tuloimpedanssiin, mikä tekee niistä ihanteellisia impedanssiltaan korkean signaalin vahvistamiseen.

Yhteenvetona voidaan todeta, että yksittäiset FET-transistorit ja erityisesti MOSFET-transistorit ovat modernin elektroniikan peruskomponentteja, jotka tunnetaan tehokkuudesta, nopeudesta ja monipuolisuudesta mitä erilaisimmissa sovelluksissa pienitehoisesta signaalinvahvistuksesta korkeatehoiseen kytkentään ja ohjaukseen.