VideoLibrary

onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC

At Embedded World 2023 in the DigiKey booth, Paige West speaks Paul Klausner, Product Marketing Manager at onsemi about how they aim to achieve robust reliability with their EliteSiC product line.

4/10/2023 8:09:30 PM

Part List

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NTHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-31663 - Immediate
2700 - Factory Stock		$24.32Näytä tiedot
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NVHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-3168 - Immediate$26.43Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7NTBG040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7548 - Immediate
76800 - Factory Stock		$19.08Näytä tiedot
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3NTHL027N65S3HFMOSFET N-CH 650V 75A TO247-3643 - Immediate
10800 - Factory Stock		$17.52Näytä tiedot
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNTBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK974 - Immediate$23.97Näytä tiedot
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3NTHL065N65S3HFMOSFET N-CH 650V 46A TO247-3450 - Immediate$10.92Näytä tiedot
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFENTHL067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE371 - Immediate$5.33Näytä tiedot
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5NTH4L075N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5414 - Immediate
450 - Factory Stock		$9.14Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L060N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL478 - Immediate
450 - Factory Stock		$11.83Näytä tiedot
SIC MOS TO247-4L 650VNTH4L060N065SC1SIC MOS TO247-4L 650V489 - Immediate
7650 - Factory Stock		$8.74Näytä tiedot
SIC MOS TO247-3L 650VNTHL060N065SC1SIC MOS TO247-3L 650V255 - Immediate
16650 - Factory Stock		$8.64Näytä tiedot
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4NTH4L040N65S3FMOSFET N-CH 650V 65A TO247-4310 - Immediate
3600 - Factory Stock		$12.75Näytä tiedot
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3NVHL025N65S3MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3170 - Immediate
1800 - Factory Stock		$13.90Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L020N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL603 - Immediate
6750 - Factory Stock		$24.21Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTBG045N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL2767 - Immediate
21600 - Factory Stock		$11.68Näytä tiedot
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200VNTH4L022N120M3SSIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V681 - Immediate
88650 - Factory Stock		$14.60Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL1599 - Immediate
9450 - Factory Stock		$23.16Näytä tiedot
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3NTHL065N65S3FMOSFET N-CH 650V 46A TO247-35851 - Immediate
63900 - Factory Stock		$10.43Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAKNTBG020N120SC1SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK1107 - Immediate$31.23Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3NTHL020N120SC1SICFET N-CH 1200V 103A TO247-363 - Immediate
4500 - Factory Stock		$26.36Näytä tiedot

Related Videos

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Publish Date: 2024-05-21

Advantages of onsemi's EliteSiC Family
Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Publish Date: 2024-04-03

Exploring Industrial Drives and Pumps
Exploring Industrial Drives and Pumps

Publish Date: 2024-02-15

Related Product Highlight

onsemi Energy Storage Solutions onsemi Energy Storage Solutions capture energy produced at one time for use later. It involves converting energy from forms that are difficult to store to more convenient or economically storable forms.
NVHL N-Channel EliteSiC MOSFET onsemi's NVHL N-channel EliteSiC MOSFET provides lightning-fast transitions with superior reliability in a miniature TO-247-3 package.
NVBG EliteSiC MOSFETs onsemi’s NVBG EliteSiC MOSFETs offer high-speed switching and low capacitance in a small package size.

Related Articles and Blogs

Leveän energiaraon puolijohteet muuttavat kuljetusalaa Koko liikennesektori on käymässä läpi valtavaa murrosta, johon kuuluu uusia ratkaisuja sähkö- ja hybridiautoja ja puhtaampaa joukkoliikennettä varten.
Leveän energiaraon puolijohteet ilmailu- ja satelliittisovelluksissa Leveän energiaraon puolijohteilla on useita etuja tehonmuunnossa, kuten parempi tehotiheys ja hyötysuhde sekä pienempi järjestelmän koko ja paino.
Miten luodaan tehokkaampi ja luotettavampi energiainfrastruktuuri ja samalla lasketaan kustannuksia Miten piikarbidia (SiC) käyttämällä voidaan luoda tehokkaampia ja luotettavampia energiainfrastruktuurijärjestelmiä pienemmillä hiilijalanjäljillä ja alhaisemmilla kustannuksilla.

Related Product Training Modules

SiC Gate Drivers onsemi's NCP51561 isolated dual-channel gate drivers are designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.