VideoLibrary

Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Together with our end-to-end #Silicon Carbide (SiC) manufacturing capabilities, onsemi EliteSiC products offer superior performance and exacting quality standards of products.

4/3/2024 5:54:03 PM

1200V

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3NTHL080N120SC1ASICFET N-CH 1200V 31A TO247-3840 - Immediate
155250 - Factory Stock		$11.09Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAKNVBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK1212 - Immediate$10.08Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3NTHL040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3907 - Immediate
10800 - Factory Stock		$18.79Näytä tiedot

1700V

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERNTBG028N170M1SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER548 - Immediate
4000 - Factory Stock		$32.20Näytä tiedot
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERNTH4L028N170M1SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER789 - Immediate
9450 - Factory Stock		$31.75Näytä tiedot

650V

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL1599 - Immediate
9450 - Factory Stock		$23.16Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTBG015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL3033 - Immediate
8000 - Factory Stock		$22.97Näytä tiedot
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1NTHL015N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1550 - Immediate$24.26Näytä tiedot

750V

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SIC MOS TO247-4L 750VNVH4L018N075SC1SIC MOS TO247-4L 750V444 - Immediate
1800 - Factory Stock		$33.23Näytä tiedot

900V

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L020N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL603 - Immediate
6750 - Factory Stock		$24.21Näytä tiedot
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NTHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-31663 - Immediate
2700 - Factory Stock		$24.32Näytä tiedot
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNVBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK508 - Immediate
4800 - Factory Stock		$30.24Näytä tiedot
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNTBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK974 - Immediate$23.97Näytä tiedot
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L060N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL478 - Immediate
450 - Factory Stock		$11.83Näytä tiedot
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NVHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-3168 - Immediate$26.43Näytä tiedot
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3NVHL060N090SC1SICFET N-CH 900V 46A TO247-3163 - Immediate
59400 - Factory Stock		$13.30Näytä tiedot
-NVH4L060N090SC1-1333 - Immediate$16.20Näytä tiedot
SIC MOSFET 900V TO247-4LNVH4L020N090SC1SIC MOSFET 900V TO247-4L449 - Immediate
900 - Factory Stock		$30.39Näytä tiedot
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3NTHL060N090SC1SICFET N-CH 900V 46A TO247-32713 - Immediate
22950 - Factory Stock		$10.39Näytä tiedot

Related Videos

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Publish Date: 2024-05-21

Exploring Industrial Drives and Pumps
Exploring Industrial Drives and Pumps

Publish Date: 2024-02-15

onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC
onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC

Publish Date: 2023-04-10

Related Product Highlight

onsemi Energy Storage Solutions onsemi Energy Storage Solutions capture energy produced at one time for use later. It involves converting energy from forms that are difficult to store to more convenient or economically storable forms.
NVHL N-Channel EliteSiC MOSFET onsemi's NVHL N-channel EliteSiC MOSFET provides lightning-fast transitions with superior reliability in a miniature TO-247-3 package.
NVBG EliteSiC MOSFETs onsemi’s NVBG EliteSiC MOSFETs offer high-speed switching and low capacitance in a small package size.

Related Articles and Blogs

Leveän energiaraon puolijohteet muuttavat kuljetusalaa Koko liikennesektori on käymässä läpi valtavaa murrosta, johon kuuluu uusia ratkaisuja sähkö- ja hybridiautoja ja puhtaampaa joukkoliikennettä varten.
Leveän energiaraon puolijohteet ilmailu- ja satelliittisovelluksissa Leveän energiaraon puolijohteilla on useita etuja tehonmuunnossa, kuten parempi tehotiheys ja hyötysuhde sekä pienempi järjestelmän koko ja paino.
Miten luodaan tehokkaampi ja luotettavampi energiainfrastruktuuri ja samalla lasketaan kustannuksia Miten piikarbidia (SiC) käyttämällä voidaan luoda tehokkaampia ja luotettavampia energiainfrastruktuurijärjestelmiä pienemmillä hiilijalanjäljillä ja alhaisemmilla kustannuksilla.

Related Product Training Modules

SiC Gate Drivers onsemi's NCP51561 isolated dual-channel gate drivers are designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.