Name: XP3N5R0AYT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N5R0AYTTR-ND
Price: 1.004 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

XP3N5R0AYT
DigiKeyn tuotenumero	5048-XP3N5R0AYTTR-ND - Rullattu teippi (TR) 5048-XP3N5R0AYTCT-ND - Cut Tape (CT) 5048-XP3N5R0AYTDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	YAGEO XSEMI
Valmistajan tuotenumero	XP3N5R0AYT
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 20A 63.5A PMPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 20A (Ta), 63,5A (Tc) 3,12W (Ta) Kiinnitys pintaan PMPAK® 3 x 3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	YAGEO XSEMI
Sarja	XP3N5R0A
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	20A (Ta), 63,5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2800 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,12W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PMPAK® 3 x 3
Pakkaus / kotelo	8-PowerDFN

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 1 000

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)