N-kanavatyyppi 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SUP60030E-GE3

DigiKeyn tuotenumero
SUP60030E-GE3-ND
Valmistaja
Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero
SUP60030E-GE3
Kuvaus
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika
55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
SUP60030E-GE3 -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Vishay Siliconix
Sarja
TrenchFET®
Pakkaustapa
Irtotavara
Osan tila
Aktiivinen
FET-tyyppi
N-kanavatyyppi
Teknologia
MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
7,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3,4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
7910 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
375W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 175°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
TO-220AB
Pakkaus / kotelo
TO-220-3
Päätuotenumero
SUP60030
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 373
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Määrä
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Irtotavara
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
14,28000 €4,28 €
502,21240 €110,62 €
1002,01210 €201,21 €
5001,66140 €830,70 €
1 0001,54876 €1 548,76 €
2 0001,45411 €2 908,22 €
5 0001,43527 €7 176,35 €
Valmistajien vakiokoko
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:4,28000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:5,37140 €