Name: SUP60030E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP60030E-GE3-ND
Price: 4.37995 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SUP60030E-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SUP60030E-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SUP60030E-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	33 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SUP60030E-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7910 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	375W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220AB
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	SUP60030