Name: SQJ560EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ560EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.19625 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQJ560EP-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQJ560EP-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQJ560EP-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQJ560EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQJ560EP-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Valmistajan vakio toimitusaika	32 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SQJ560EP-T1_GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	N- ja P-kanava
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	30A (Tc), 18A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	12mOhm @ 10A, 10V, 52,6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1650pF @ 25V
Teho - maksimi	34W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Päätuotenumero	SQJ560