Name: SQD10N30-330H_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD10N30-330H_GE3TR-ND
Price: 2.49745 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQD10N30-330H_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQD10N30-330H_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQD10N30-330H_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQD10N30-330H_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQD10N30-330H_GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 300 V 10A (Tc) 107W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±30V
Sarja TrenchFET®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2190 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 107W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 300 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-252AA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 330mOhm @ 14A, 10V	Päätuotenumero SQD10
Vgs(th) (maks.) @ Id 4,4V @ 250µA