Name: SQM35N30-97_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM35N30-97_GE3TR-ND
Price: 5.45925 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQM35N30-97_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQM35N30-97_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQM35N30-97_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQM35N30-97_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQM35N30-97_GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 300 V 35A (Tc) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Sarja TrenchFET®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5650 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 375W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 300 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 35A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-263 (D2PAK)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 97mOhm @ 10A, 10V	Päätuotenumero SQM35
Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 250µA