Name: SIJ4819DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.50145 EUR
Availability: InStock

SIJ4819DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIJ4819DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIJ4819DP-T1-GE3
Kuvaus	P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 80 V 11,5A (Ta), 44,4A (Tc) 5W (Ta), 73,5W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIJ4819DP-T1-GE3 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	11,5A (Ta), 44,4A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	20,7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,6V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3420 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	5W (Ta), 73,5W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8

Määrä	Yksikköhinta	Yhteensä
3 000	0,83801 €	2 514,03 €
6 000	0,79821 €	4 789,26 €

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,79000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,50145 €

SIJ4819DP-T1-GE3