Name: SIRA00DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA00DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.15005 EUR
Availability: InStock

Tarvitsetko apua?

Palaute

Tietoja DigiKeystä Markkinapaikka Myy DigiKey.com-verkkokaupassa Työpaikat Sivustokartta Digitaaliset ratkaisut Uutiset

Käyttäjätuki Tilauksen status Toimituskulut ja toimitusvaihtoehdot Palautukset ja ongelmat tilausten kanssa

(+358) 9 817 105 74 eu.support@digikey.com

SIRA00DP-T1-GE3
cms-digikey-product-number	SIRA00DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIRA00DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIRA00DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SIRA00DP-T1-GE3
cms-description	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
cms-standard-lead-time	27 viikkoa
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanavatyyppi 30 V 100A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
cms-eda-cad-models	SIRA00DP-T1-GE3 -mallit

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+20V, -16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	11700 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8
Päätuotenumero	SIRA00

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,51000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,15005 €

SIRA00DP-T1-GE3