Name: SIR622DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR622DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.54765 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIR622DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIR622DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIR622DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIR622DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIR622DP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	42 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 150 V 51,6A (Tc) 104W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIR622DP-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 31 nC @ 7.5 V
Sarja ThunderFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1516 pF @ 75 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 104W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 150 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 51,6A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Päätuotenumero SIR622
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 17,7mOhm @ 20A, 10V