Name: SIR178DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR178DP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.012 EUR
Availability: InStock

SIR178DP-T1-RE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIR178DP-T1-RE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIR178DP-T1-RE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIR178DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIR178DP-T1-RE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIR178DP-T1-RE3 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen IV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	100A (Ta), 430A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	0,4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	310 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+12V, -8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	12430 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	6,3W (Ta), 104W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8
Päätuotenumero	SIR178

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,40000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,01200 €

SIR178DP-T1-RE3