Name: SIR1309DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR1309DP-T1-GE3TR-ND
Price: 0.96635 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIR1309DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIR1309DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIR1309DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIR1309DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIR1309DP-T1-GE3
Kuvaus	P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 19,1A (Ta), 65,7A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIR1309DP-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen IV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	19,1A (Ta), 65,7A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	7,3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3250 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8