Name: SIHP21N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP21N65EF-GE3-ND
Price: 6.3001 EUR
Availability: OutOfStock

SIHP21N65EF-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIHP21N65EF-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHP21N65EF-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2322 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	208W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220AB
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	SIHP21

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	5,02000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	6,30010 €

SIHP21N65EF-GE3