Name: SIHF9630S-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHF9630S-GE3TR-ND
Price: 2.07075 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHF9630S-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIHF9630S-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIHF9630S-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIHF9630S-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHF9630S-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	15 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 200 V 6,5A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6,5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	800mOhm @ 3,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	700 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 74W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	SIHF9630