Name: SIHD2N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHD2N80AE-GE3-ND
Price: 2.008 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHD2N80AE-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIHD2N80AE-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHD2N80AE-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 2,9A (Tc) 62,5W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Sarja E	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 180 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 62,5W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Valmistajan laitepakkaus TO-252AA
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2,9A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero SIHD2
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,9Ohm @ 500mA, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 1 559

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki