Name: SIHA11N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHA11N80E-GE3-ND
Price: 2.24645 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHA11N80E-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIHA11N80E-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHA11N80E-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 12A (Tc) 34W (Tc) Läpivientiaukko TO-220, täysi pakkaus
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	E
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	440mOhm @ 5,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1670 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	34W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220, täysi pakkaus
Pakkaus / kotelo	TO-220-3, täysi pakkaus
Päätuotenumero	SIHA11