Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.9116 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIDR5802EP-T1-RE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIDR5802EP-T1-RE3
Kuvaus	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8DC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIDR5802EP-T1-RE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen V
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	34,2A (Ta), 153A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3020 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	7,5W (Ta), 150W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8DC
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8
Päätuotenumero	SIDR5802