Name: SIB452DK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIB452DK-T1-GE3TR-ND
Price: 1.26755 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIB452DK-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIB452DK-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIB452DK-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIB452DK-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIB452DK-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 190 V 1,5A (Tc) 2,4W (Ta), 13W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SC-75-6
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIB452DK-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	190 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	1,5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,4Ohm @ 500mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	6.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	135 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,4W (Ta), 13W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SC-75-6
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SC-75-6
Päätuotenumero	SIB452