SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIA414DJ-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIA414DJ-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIA414DJ-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIA414DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIA414DJ-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 8 V 12A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SC-70-6
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 800mV @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 32 nC @ 5 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±5V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1800 pF @ 4 V
Osan tila Vanhentunut	Tehohäviö (maks.) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 8 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SC-70-6
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 12A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SC-70-6
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,2V, 4,5V	Päätuotenumero SIA414
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9,7A, 4,5V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
SIA436DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	726	SIA436DJ-T1-GE3CT-ND	0,91000 €	MFR Recommended
DMN1019UFDE-7	Diodes Incorporated	1 129	DMN1019UFDE-7DICT-ND	0,73000 €	Samankaltainen