Name: SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA427DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9538 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIA427DJ-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIA427DJ-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIA427DJ-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIA427DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIA427DJ-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 8 V 12A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SC-70-6
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIA427DJ-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 800mV @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 50 nC @ 5 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±5V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2300 pF @ 4 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 8 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SC-70-6
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 12A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SC-70-6
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,2V, 4,5V	Päätuotenumero SIA427
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8,2A, 4,5V