Name: SI7997DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7997DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.016 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI7997DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI7997DP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 30V 60A 46W Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI7997DP-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 250µA
Valmistaja Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 160nC @ 10V
Sarja TrenchFET®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6200pF @ 15V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Teho - maksimi 46W
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Konfiguraatio 2 P-kanavaa (kaksinkertainen)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 60A	Päätuotenumero SI7997
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 5,5mOhm @ 20A, 10V