Name: SI7315DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7315DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.32175 EUR
Availability: OutOfStock

SI7315DN-T1-GE3 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Rohm Semiconductor

Varastossa: 1 506

Yksikköhinta : 0,77000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI7315DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI7315DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI7315DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7315DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI7315DN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Valmistajan vakio toimitusaika	63 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 150 V 8,9A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI7315DN-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 880 pF @ 75 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,8W (Ta), 52W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -50°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 150 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 8,9A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Päätuotenumero SI7315
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 315mOhm @ 2,4A, 10V